国星光电于近日接到国科致富（2011）129号《关于发布命令2011年度国家高技术研究发展计划第一批课题经费支出的通报》，现将有关情况公告如下：　　1、按照科技部、财政部对国家高技术研究发展计划（863计划）专项经费的总体决定，由南昌大学联合、国星光电等单位联合分担的国家863计划项目大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制取及PCB技术，取得专项经费支出5,565万元，本次核拨专项经费3,339万元，其中国星光电经费分配比例为7.5%。公司已于近日接到专项经费250.43万元，该笔款项将专用于大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制取及PCB技术。　　2、按照科技部、财政部对国家高技术研究发展计划（863计划）专项经费的总体决定，由扬州中科半导体灯光有限公司联合、国星光电等单位联合分担的国家863计划项目基于横向结构的高效白光LED外延芯片产业化制取技术研究，取得专项经费支出1,383万元，本次核拨专项经费830万元，其中国星光电经费分配比例为12%。

公司已于近日接到专项经费99.6万元，该笔款项将专用于基于横向结构的高效白光LED外延芯片产业化制取技术研究。　　本次接到的专项经费公司将根据《企业会计准则》的规定，算入递延收益科目，对公司当期损益会产生根本性影响。

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